Транзистор SI3430DV
SI3430DV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.14 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.17 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI3430DV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SI4484EY |
SMD |
N |
1.8 |
100 |
20 |
2 |
4.8 |
0.034 |
- |
10 |
- |
175 |
SO-8 |
| SI4488DY |
SMD |
N |
1.56 |
150 |
20 |
2 |
3.5 |
0.05 |
- |
7 |
- |
150 |
SO-8 |
| SI4848DY |
SMD |
N |
1.5 |
150 |
20 |
2 |
2.7 |
0.085 |
- |
10 |
- |
150 |
SO-8 |