Транзистор SI3440DV
SI3440DV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.14 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.375 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI3440DV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMA86251 |
SMD |
N |
2.4 |
150 |
20 |
4 |
2.4 |
0.175 |
- |
1.7 |
24 |
150 |
MicroFET2X2 |
| FDS2070N3 |
SMD |
N |
3 |
150 |
20 |
4 |
4.1 |
0.078 |
- |
6 |
102 |
150 |
SO-8 |
| FDS2070N7 |
SMD |
N |
3 |
150 |
20 |
4 |
4.1 |
0.078 |
- |
6 |
102 |
150 |
SO-8 |
| HUF75831SK8 |
SMD |
N |
2.5 |
150 |
20 |
4 |
3 |
0.095 |
66 |
6 |
275 |
150 |
MS-012AA |
| PHK4NQ20T |
SMD |
N |
6.25 |
200 |
20 |
4 |
4 |
0.13 |
26 |
10 |
155 |
150 |
SOT-96-1 |
| SI7302DN |
SMD |
N |
3.8 |
220 |
20 |
4 |
2.3 |
0.32 |
- |
10 |
72 |
150 |
PowerPAK1212-8 |
| SI7818DN |
SMD |
N |
1.5 |
150 |
20 |
4 |
2.2 |
0.135 |
- |
10 |
- |
150 |
PowerPAK1212-8 |