Транзистор SI3441BDV
SI3441BDV - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.86 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.85 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 55 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI3441BDV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PS04N20SA |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
8 |
0.85 |
4.2 |
0.05 |
4 |
50 |
120 |
150 |
SOT-23 |
| SI9424BDY |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
9 |
0.85 |
5.6 |
0.025 |
- |
40 |
- |
150 |
SO-8 |
| SIA431DJ |
SMD |
P |
3.5 |
20 |
8 |
0.85 |
9.6 |
0.025 |
40 |
25 |
230 |
150 |
SC-70-6L |