Транзистор SI4010DY
SI4010DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0034 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1040 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4010DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18501Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
40 |
20 |
2.3 |
22 |
0.0032 |
20 |
10 |
725 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18540Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.3 |
28 |
0.0022 |
20 |
9 |
622 |
150 |
SON5X6 |
| STL110NS3LLH7 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
2.3 |
28 |
0.0034 |
13.7 |
10.4 |
640 |
150 |
PowerFLAT5X6 |