Транзистор SI4160DY
SI4160DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0049 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 406 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4160DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4588 |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.4 |
20 |
0.0048 |
- |
5 |
390 |
150 |
SO-8 |
| RU30E60M2 |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
2.4 |
21 |
0.0039 |
- |
13 |
380 |
150 |
PDFN3333 |
| SIR460DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.4 |
24.3 |
0.0047 |
36 |
16 |
406 |
150 |
SO-8 |