Транзистор SI4164DY
SI4164DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 650 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4164DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RS1E280GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
28 |
0.0026 |
36 |
12.3 |
550 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E300GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
30 |
0.0022 |
39.8 |
14.8 |
630 |
150 |
HSOP8 |
| SIR414DP |
SMD |
N |
5.4 |
40 |
20 |
2.5 |
33 |
0.0028 |
78 |
9 |
610 |
150 |
SO-8 |
| SIR464DP |
SMD |
N |
5.2 |
30 |
20 |
2.5 |
29.5 |
0.0031 |
62 |
16 |
650 |
150 |
SO-8 |