Транзистор SI4190DY
SI4190DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0088 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4190DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIR882ADP |
SMD |
N |
5.4 |
100 |
20 |
2.8 |
17.6 |
0.0087 |
39.5 |
12 |
748 |
150 |
SO-8 |