Транзистор SI4368DY
SI4368DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 850 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4368DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17573Q5B |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.8 |
43 |
0.001 |
49 |
20 |
769 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17575Q3 |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
1.8 |
27 |
0.0023 |
23 |
10 |
393 |
150 |
SON3.3X3.3 |
| CSD17576Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1.8 |
30 |
0.002 |
25 |
16 |
389 |
150 |
SON5X6 |