Транзистор SI4435DYPBF
SI4435DYPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 76 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 390 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4435DYPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7331PE |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
25 |
1 |
13.4 |
0.0144 |
25 |
8 |
269 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7333P |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
20 |
1 |
10.9 |
0.02 |
32 |
39 |
252 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7333PE |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
20 |
1 |
10.9 |
0.02 |
22 |
35 |
242 |
150 |
DFN3X3-8L |