Транзистор SI4825DDY
SI4825DDY - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0125 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 455 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4825DDY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SI7101DN |
SMD |
P |
3.7 |
30 |
25 |
2.5 |
16.9 |
0.0072 |
- |
10 |
442 |
150 |
PowerPAK1212-8 |
| SI7617DN |
SMD |
P |
3.7 |
30 |
25 |
2.5 |
13.9 |
0.0123 |
- |
9 |
370 |
150 |
PowerPAK1212-8 |