Транзистор SI4825DY
SI4825DY - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4825DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4335 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
10.5 |
0.014 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
SOP-8 |
| AO4407A |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
12 |
0.013 |
- |
9.4 |
370 |
150 |
SO-8 |
| AO4427 |
SMD |
P |
3 |
30 |
25 |
3 |
12.5 |
0.014 |
41 |
10.3 |
480 |
150 |
SO-8 |
| AP4453AGYT-HF |
SMD |
P |
3.13 |
30 |
25 |
3 |
12.8 |
0.013 |
- |
10 |
290 |
150 |
PMPAK3X3 |
| FDS6673AZ |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
14.5 |
0.0072 |
118 |
8 |
1190 |
175 |
SO-8 |
| FDS6675A |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
11 |
0.013 |
- |
12 |
610 |
175 |
SO-8 |
| FDS7779Z |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
16 |
0.0072 |
98 |
9 |
980 |
150 |
SO-8 |
| MDS3603URH |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
12 |
0.0085 |
- |
13 |
445 |
150 |
SOIC-8 |
| MDS3604URH |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
11 |
0.01 |
- |
12.9 |
338 |
150 |
SOIC-8 |
| MDU3603RH |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
30 |
0.0075 |
- |
13 |
445 |
150 |
PowerDFN56 |
| MDV3604URH |
SMD |
P |
3.4 |
30 |
25 |
3 |
12.6 |
0.01 |
- |
12.9 |
338 |
150 |
PDFN33 |
| SSM4407GM |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
10.7 |
0.014 |
28 |
11 |
590 |
150 |
SO-8 |
| SSM6679GM |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
14 |
0.009 |
37 |
11 |
950 |
150 |
SO-8 |