Транзистор SI4860DY
SI4860DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4860DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4362N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
19 |
0.006 |
21 |
10 |
326 |
150 |
SO-8 |
| AM7310N |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
1 |
21 |
0.0055 |
19 |
11 |
304 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7340N |
SMD |
N |
3.5 |
40 |
20 |
1 |
21 |
0.0055 |
30 |
10 |
- |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7362NA |
SMD |
N |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
18 |
0.008 |
30 |
10 |
- |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7434N |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
27 |
0.0049 |
16 |
12 |
326 |
150 |
DFN5X6-8L |
| MSQ27N30 |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
27 |
0.0046 |
- |
10 |
- |
150 |
SOIC-8 |
| SI4858DY |
SMD |
N |
1.6 |
30 |
20 |
1 |
13 |
0.00525 |
- |
10 |
- |
150 |
SO-8 |