Транзистор SI4866BDY
SI4866BDY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0053 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1305 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4866BDY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7302N |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
1 |
24.2 |
0.004 |
32 |
15 |
424 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7434N |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
27 |
0.0049 |
16 |
12 |
326 |
150 |
DFN5X6-8L |
| AM7436N |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
27 |
0.0046 |
35 |
16 |
410 |
150 |
DFN5X6-8L |
| AM7452NA |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
1 |
29 |
0.0042 |
48 |
17 |
433 |
150 |
DFN5X6-8L |