Справочник электронных компонентов

Транзистор SI4894BDY

SI4894BDY - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SI4894BDY можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM7442N SMD N 5 40 20 3 20 0.009 25 6 230 150 SOIC-8PP
AP0704GMT SMD N 5 40 20 3 20.8 0.007 - 6.5 235 150 PMPAK5X6
AP0903GYT-HF SMD N 3.5 30 20 3 16 0.009 - 7 215 150 PMPAK3X3
AP0904GMT SMD N 5 40 20 3 17.5 0.0095 - 6.5 160 150 PMPAK5X6
AP4424AGM SMD N 2.5 30 20 3 13 0.009 - 5 200 150 SO-8
AP6680GM SMD N 2.5 30 25 3 11.5 0.011 - 7.3 285 150 SO-8
AP76T03AGMT SMD N 5 30 20 3 20.8 0.0072 - 9 260 150 PMPAK5X6
AP76T03AGMT-HF SMD N 5 30 20 3 20.8 0.0072 - 9 260 150 PMPAK5X6
AP9474GM SMD N 2.5 60 20 3 12.8 0.0105 51 8 260 150 SO-8
AP9474GM-HF SMD N 2.5 60 20 3 12.8 0.0105 - 8 260 150 SO-8
MMN4446 SMD N 3 30 20 3 15 0.009 25.12 4 241.65 150 SO-8
MMN6680 SMD N 2.5 30 20 3 12 0.011 10.52 3.28 205.32 150 SOP-8
SI4688DY SMD N 1.4 30 20 3 8.9 0.011 - 10 295 150 SO-8
SI7196DP SMD N 5 30 20 3 15.8 0.011 - 8 290 150 PowerPAKSO-8
SK860317L SMD N 2.8 30 20 3 20 0.0041 17 10 250 150 HSO8-F4-B
SK860318L SMD N 2.4 30 20 3 15 0.0071 9.2 6 140 150 HSO8-F4-B
SK860319L SMD N 2.7 30 20 3 12 0.01 6.3 3 160 150 HSO8-F4-B
SSM6680GM SMD N 2.5 30 25 3 11.5 0.011 16.8 7.3 285 150 SO-8