Транзистор SI5419DU
SI5419DU - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 240 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI5419DU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON3419 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
10 |
0.019 |
- |
5.5 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| SM3307PSQA |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
11 |
0.018 |
21 |
12 |
210 |
150 |
DFN3X3-8 |
| SM3307PSQG |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
2.5 |
11 |
0.018 |
21 |
12 |
210 |
150 |
DFN3X3-8 |