Транзистор SI5858DU
SI5858DU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.039 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 65 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI5858DU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4842N |
SMD |
N |
3.1 |
40 |
20 |
1 |
13.8 |
0.011 |
20 |
13 |
72 |
150 |
SO-8 |