Транзистор SI6467BDQ

SI6467BDQ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSSOP-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.05 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.85 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0125 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 85 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SI6467BDQ можно заменить на:

Нет элементов для замены