Транзистор SI7100DN
SI7100DN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 26.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 57 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1625 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7100DN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7404NA |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
35 |
0.0028 |
64 |
28 |
966 |
150 |
DFN5X6-8L |
| AM7444N |
SMD |
N |
5 |
40 |
20 |
1 |
34 |
0.003 |
49 |
35 |
791 |
150 |
DFN5X6-8L |
| STL260N3LLH6 |
SMD |
N |
4.8 |
30 |
20 |
1 |
45 |
0.0013 |
61.5 |
32 |
1230 |
175 |
PowerFLAT5X6 |