Транзистор SI7116DN
SI7116DN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0078 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7116DN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RS1G180MN |
SMD |
N |
3 |
40 |
20 |
2.5 |
18 |
0.007 |
19.5 |
8.9 |
307 |
150 |
HSOP8 |
| SIR414DP |
SMD |
N |
5.4 |
40 |
20 |
2.5 |
33 |
0.0028 |
78 |
9 |
610 |
150 |
SO-8 |