Транзистор SI7120DN
SI7120DN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7120DN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18537NQ5A |
SMD |
N |
3.2 |
60 |
20 |
3.5 |
11 |
0.013 |
14 |
4 |
136 |
150 |
SON5X6 |
| SIJ470DP |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
3.5 |
17.4 |
0.0091 |
36.9 |
8 |
470 |
150 |
SO-8L |
| SIR846DP |
SMD |
N |
6.25 |
100 |
20 |
3.5 |
20 |
0.0078 |
47.5 |
9 |
1375 |
150 |
SO-8 |
| SIR872DP |
SMD |
N |
6.25 |
150 |
20 |
3.5 |
12.8 |
0.018 |
42.5 |
9 |
285 |
150 |
SO-8 |
| SQ4470EY |
SMD |
N |
7.1 |
60 |
20 |
3.5 |
16 |
0.012 |
45 |
12 |
382 |
175 |
SO-8 |