Транзистор SI7121DN
SI7121DN - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 380 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7121DN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6435 |
SMD |
P |
31 |
30 |
25 |
3 |
34 |
0.017 |
- |
8 |
240 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7401 |
SMD |
P |
29 |
30 |
25 |
3 |
35 |
0.014 |
- |
9.4 |
370 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7403 |
SMD |
P |
25 |
30 |
25 |
3 |
29 |
0.018 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
DFN3X3 |