Транзистор SI7123DN
SI7123DN - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0106 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 88 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 542 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7123DN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM2427S |
SMD |
P |
1.5 |
20 |
8 |
1 |
10.7 |
0.009 |
63 |
76.8 |
509 |
150 |
SOP-8 |
| SI5415AEDU |
SMD |
P |
3.1 |
20 |
8 |
1 |
15 |
0.0096 |
- |
45 |
445 |
150 |
PowerPAK |