SI7157DP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 6.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 46.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 415 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2470 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7157DP можно заменить на:
Нет элементов для замены