Транзистор SI7160DP
SI7160DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0087 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 115 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 475 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7160DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTB3D0N03BH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
60 |
0.0035 |
- |
19.2 |
419 |
150 |
DFN5X6 |
| QM3004D |
SMD |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.0085 |
12.6 |
12.2 |
163 |
175 |
TO-252 |
| QM3004U |
PTH |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.0085 |
12.6 |
12.2 |
163 |
175 |
TO-251 |
| QM3004U1 |
PTH |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.0085 |
12.8 |
12.2 |
163 |
175 |
TO-251S |
| SI7790DP |
SMD |
N |
5.2 |
40 |
25 |
2.5 |
25.3 |
0.0045 |
- |
34 |
475 |
150 |
PowerPAKSO-8 |
| SIR330DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
22.2 |
0.0056 |
23 |
12 |
350 |
150 |
SO-8 |
| SM3115NSU |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
60 |
0.0054 |
12.4 |
13 |
410 |
150 |
TO-252 |
| SM3116NBU |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
60 |
0.0057 |
12 |
13 |
260 |
150 |
TO-252 |
| SM4370NSKP |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0084 |
7.5 |
12 |
200 |
150 |
DFN5X6-8 |
| SQJ848AEP |
SMD |
N |
48 |
40 |
20 |
2.5 |
24 |
0.0076 |
33 |
12 |
295 |
175 |
PowerPAKSO-8L |
| STK800 |
SMD |
N |
5.2 |
30 |
16 |
2.5 |
20 |
0.0078 |
13.4 |
50 |
450 |
150 |
PolarPAK |
| TPCA8012-H |
SMD |
N |
45 |
30 |
20 |
2.5 |
40 |
0.0049 |
42 |
40 |
150 |
150 |
SOPAdvance |