Транзистор SI7216DN
SI7216DN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 142 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7216DN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MDD1754RH |
SMD |
N |
16.7 |
40 |
20 |
3 |
20.5 |
0.027 |
- |
17.3 |
76 |
150 |
TO-252 |
| MDS1754RH |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
3 |
7.6 |
0.029 |
- |
17.3 |
76 |
150 |
SOIC-8 |
| QM4002AD |
SMD |
N |
25 |
40 |
20 |
3 |
23 |
0.028 |
12 |
32.6 |
61.5 |
150 |
TO-252 |