Транзистор SI7476DP
SI7476DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0053 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7476DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP3R604GMT-L |
SMD |
N |
5 |
40 |
20 |
3 |
29 |
0.0036 |
- |
8 |
615 |
150 |
PMPAK5X6 |
| MDU1721VRH |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
3 |
32.9 |
0.0014 |
- |
16.1 |
1.85 |
150 |
PDFN5X6 |
| MDU1722VRH |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
3 |
26.3 |
0.0022 |
- |
15.2 |
930 |
150 |
PDFN5X6 |
| SI7156DP |
SMD |
N |
5.4 |
40 |
20 |
3 |
29 |
0.0035 |
- |
10 |
605 |
150 |
PowerPAKSO-8 |