Транзистор SI7686DP
SI7686DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7686DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7442N |
SMD |
N |
5 |
40 |
20 |
3 |
20 |
0.009 |
25 |
6 |
230 |
150 |
SOIC-8PP |
| AOI4184 |
PTH |
N |
50 |
40 |
20 |
3 |
50 |
0.008 |
- |
17.2 |
215 |
175 |
TO-251A |
| AON7702 |
SMD |
N |
35 |
30 |
20 |
3 |
40 |
0.0095 |
- |
3 |
135 |
150 |
DFN3X3A |
| MDD1851RH |
SMD |
N |
45 |
45 |
20 |
3 |
50 |
0.009 |
- |
19.1 |
226 |
150 |
TO-252 |