Транзистор SI7703EDN
SI7703EDN - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.048 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7703EDN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM2347P |
SMD |
P |
1.3 |
40 |
20 |
1 |
4.8 |
0.039 |
15 |
3 |
105 |
150 |
SOT-23 |