Транзистор SI7784DP
SI7784DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 335 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7784DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6426 |
SMD |
N |
42 |
30 |
20 |
2.5 |
65 |
0.0055 |
37 |
8.6 |
290 |
150 |
DFN5X6 |
| SK840303 |
SMD |
N |
28 |
33 |
20 |
2.5 |
22 |
0.006 |
10 |
7 |
320 |
150 |
HSSO8-F1-B |
| SK840320L |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
2.5 |
23 |
0.005 |
14 |
6 |
230 |
150 |
HSSO8-F1-B |