Транзистор SI7794DP
SI7794DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 28.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0034 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 630 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7794DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIR414DP |
SMD |
N |
5.4 |
40 |
20 |
2.5 |
33 |
0.0028 |
78 |
9 |
610 |
150 |
SO-8 |
| SIR788DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
28.6 |
0.0034 |
50 |
15 |
555 |
150 |
SO-8 |