Справочник электронных компонентов

Транзистор SI7810DN

SI7810DN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: PowerPAK1212-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.062 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SI7810DN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
KRF7494	SMD	N	3	150	20	4.5	5.2	0.044	36	13	220	150	SOP-8
SI4472DY	SMD	N	3.1	150	20	4.5	5.5	0.045	-	12	160	150	SO-8
SI7178DP	SMD	N	6.25	100	20	4.5	14.9	0.014	-	10	225	150	PowerPAKSO-8
SI7430DP	SMD	N	5.2	150	20	4.5	7.2	0.045	-	12	160	150	PowerPAKSO-8
SI7846DP	SMD	N	1.9	150	20	4.5	4	0.05	-	7	-	150	PowerPAKSO-8
SIR872ADP	SMD	N	6.25	150	20	4.5	12.8	0.018	31.3	12	327	150	SO-8
STL30N10F7	SMD	N	4.8	100	20	4.5	8	0.035	14	14	215	175	PowerFLAT5X6
STL7N10F7	SMD	N	2.9	100	20	4.5	7	0.035	14	14	215	150	PowerFLAT3.3X3.3