Транзистор SI7820DN
SI7820DN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAK1212-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.24 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7820DN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KI4464DY |
SMD |
N |
1.5 |
200 |
20 |
4 |
1.7 |
0.24 |
12 |
12 |
- |
150 |
SOP-8 |
| PHK4NQ20T |
SMD |
N |
6.25 |
200 |
20 |
4 |
4 |
0.13 |
26 |
10 |
155 |
150 |
SOT-96-1 |
| SI4464DY |
SMD |
N |
1.5 |
200 |
20 |
4 |
1.7 |
0.24 |
- |
12 |
- |
150 |
SO-8 |
| SI7172DP |
SMD |
N |
5.4 |
200 |
20 |
4 |
5.9 |
0.07 |
- |
12 |
115 |
150 |
PowerPAKSO-8 |
| SI7464DP |
SMD |
N |
1.8 |
200 |
20 |
4 |
1.8 |
0.24 |
- |
12 |
- |
150 |
PowerPAKSO-8 |