Транзистор SI7866ADP
SI7866ADP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0024 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1285 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7866ADP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6312 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.2 |
85 |
0.00185 |
- |
17 |
875 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6358 |
SMD |
N |
48 |
30 |
20 |
2.2 |
85 |
0.0022 |
- |
17 |
1000 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6382 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.2 |
85 |
0.00185 |
- |
17 |
875 |
150 |
DFN5X6 |