Транзистор SI8100DB
SI8100DB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0108 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 350 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8100DB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4492 |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.2 |
14 |
0.0095 |
- |
3 |
240 |
150 |
SOP-8 |
| AON6368 |
SMD |
N |
27 |
30 |
20 |
2.2 |
52 |
0.0061 |
- |
11 |
340 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6370 |
SMD |
N |
26 |
30 |
20 |
2.2 |
47 |
0.0072 |
- |
11 |
330 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6372 |
SMD |
N |
26 |
30 |
20 |
2.2 |
47 |
0.0072 |
- |
11 |
325 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7380 |
SMD |
N |
24 |
30 |
20 |
2.2 |
24 |
0.0068 |
- |
11 |
335 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7402 |
SMD |
N |
26 |
30 |
20 |
2.2 |
39 |
0.01 |
- |
3 |
240 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7556 |
SMD |
N |
12.5 |
30 |
20 |
2.2 |
12 |
0.0105 |
- |
2.5 |
230 |
150 |
DFN3X3 |
| SIR474DP |
SMD |
N |
3.9 |
30 |
20 |
2.2 |
15 |
0.0095 |
18 |
12 |
205 |
150 |
SO-8 |
| SIR874DP |
SMD |
N |
3.9 |
25 |
20 |
2.2 |
15 |
0.0094 |
18 |
12 |
205 |
150 |
SO-8 |