Транзистор SI8424CDB
SI8424CDB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 870 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8424CDB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIA414DJ |
SMD |
N |
3.5 |
8 |
5 |
0.8 |
12 |
0.011 |
21 |
10 |
650 |
150 |
SC-70-6L |
| SIA436DJ |
SMD |
N |
3.5 |
8 |
5 |
0.8 |
12 |
0.0094 |
16.8 |
10 |
535 |
150 |
SC-70-6L |