Транзистор SI8429DB
SI8429DB - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.77 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 590 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8429DB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SI8483DB |
SMD |
P |
2.77 |
12 |
10 |
0.8 |
8.7 |
0.026 |
- |
25 |
410 |
150 |
MicroFOOT |