Транзистор SI8451DB
SI8451DB - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.77 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8451DB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4499P |
SMD |
P |
3.1 |
60 |
20 |
1 |
6.8 |
0.045 |
24 |
9 |
136 |
150 |
SO-8 |
| AM7363P |
SMD |
P |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
7.1 |
0.047 |
19 |
14 |
128 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM9435P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
6.5 |
0.049 |
7.7 |
5 |
120 |
150 |
SO-8 |
| STP9437 |
SMD |
P |
2.8 |
30 |
12 |
1 |
6.8 |
0.045 |
16 |
16 |
120 |
150 |
SOP-8 |
| ZXMP6A18KTC |
SMD |
P |
10.1 |
60 |
20 |
1 |
10.4 |
0.055 |
- |
5.8 |
160 |
150 |
DPAK |