Транзистор SI8457DB
SI8457DB - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 715 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8457DB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4453 |
SMD |
P |
2.5 |
12 |
8 |
0.9 |
9 |
0.015 |
- |
25 |
350 |
150 |
SO-8 |
| AON2411 |
SMD |
P |
5 |
12 |
8 |
0.9 |
20 |
0.008 |
- |
45 |
675 |
150 |
DFN2X2C |
| SIA437DJ |
SMD |
P |
3.5 |
20 |
8 |
0.9 |
12.6 |
0.0145 |
60 |
22 |
305 |
150 |
SC-70-6L |