Справочник электронных компонентов

Транзистор SI8465DB

SI8465DB - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: MicroFOOT

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.78 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.104 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 125 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SI8465DB можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AO4405E	SMD	P	2.5	30	20	1.5	6	0.045	-	9	100	150	SO-8
AON2407	SMD	P	2.8	30	12	1.5	6.3	0.0375	-	7	105	150	DFN2X2B
FDFMA2P029Z	SMD	P	1.4	20	12	1.5	3.1	0.095	-	11	120	150	MicroFET2X2
FDJ129P	SMD	P	1.6	20	12	1.5	4.2	0.07	-	9	124	150	SC-75-6FLMP
RU20P5E	SMD	P	1.25	20	12	1.5	5	0.06	-	12	90	150	SOT-89
SI3805DV	SMD	P	1.1	20	12	1.5	3	0.084	-	10	80	150	TSOP-6
ST2305	SMD	P	1.25	20	12	1.5	3.5	0.063	10	13	90	150	SOT-23
ST2319SRG	SMD	P	1.2	40	20	1.5	3.5	0.075	9	10	95	150	SOT-23
WPM3401	SMD	P	1.3	30	12	1.5	4.6	0.053	27	18	106	150	SOT-23