Транзистор SI8466EDB
SI8466EDB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.78 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.043 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8466EDB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM2300N |
SMD |
N |
1.25 |
20 |
8 |
0.7 |
4.3 |
0.035 |
7 |
11 |
175 |
150 |
SOT-23 |
| STL6N2VH5 |
SMD |
N |
2.4 |
20 |
8 |
0.7 |
6 |
0.03 |
4.6 |
14.4 |
92 |
150 |
PowerFLAT2X2 |
| STT5N2VH5 |
SMD |
N |
1.6 |
20 |
8 |
0.7 |
5 |
0.03 |
4.6 |
14.4 |
92 |
150 |
SOT-23 |