Транзистор SI8809EDB
SI8809EDB - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8809EDB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO3415 |
SMD |
P |
1.5 |
20 |
8 |
0.9 |
4 |
0.041 |
- |
9 |
115 |
150 |
SOT-23 |
| AO3415A |
SMD |
P |
1.5 |
20 |
8 |
0.9 |
5 |
0.041 |
- |
9 |
115 |
150 |
SOT-23 |
| AO6409 |
SMD |
P |
2.1 |
20 |
8 |
0.9 |
5.5 |
0.041 |
- |
9 |
115 |
150 |
TSOP-6 |
| AO6409A |
SMD |
P |
2.1 |
20 |
8 |
0.9 |
5.5 |
0.041 |
- |
9 |
115 |
150 |
TSOP-6 |
| CHM2331GP |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
8 |
0.9 |
4.2 |
0.048 |
10 |
9 |
220 |
150 |
SOT-346 |
| CHM2331QGP |
SMD |
P |
2 |
20 |
8 |
0.9 |
4.2 |
0.048 |
10 |
9 |
220 |
150 |
SOT-457 |