Транзистор SI8817DB
SI8817DB - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MicroFOOT
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.076 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI8817DB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3457P |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
5 |
0.054 |
4.9 |
11.7 |
38 |
150 |
TSOP-6 |
| AM6415 |
SMD |
P |
2.1 |
20 |
12 |
1 |
4.4 |
0.071 |
5.2 |
13.2 |
72 |
150 |
SOT-26 |
| AO3435 |
SMD |
P |
1 |
20 |
8 |
1 |
2.9 |
0.056 |
- |
10 |
70 |
150 |
SOT-23 |
| ST2305A |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
12 |
1 |
3.5 |
0.045 |
10 |
13 |
90 |
150 |
SOT-23 |