Транзистор SIA417DJ

SIA417DJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-70-6L

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.023 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 500 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIA417DJ можно заменить на:

Нет элементов для замены