Транзистор SIA419DJ

SIA419DJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-70-6L

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.85 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 210 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIA419DJ можно заменить на:

Нет элементов для замены