Транзистор SIA430DJT
SIA430DJT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-70-6L
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIA430DJT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIA430DJ |
SMD |
N |
3.5 |
20 |
20 |
3 |
12 |
0.0135 |
12 |
10 |
200 |
150 |
SC-70-6L |
| SK840318L |
SMD |
N |
19 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.0071 |
10 |
6 |
140 |
150 |
HSSO8-F1-B |