Транзистор SIA466EDJ
SIA466EDJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-70-6L
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIA466EDJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STL58N3LLH5 |
SMD |
N |
4.8 |
30 |
20 |
2.5 |
16 |
0.009 |
6.5 |
15.6 |
193 |
175 |
PowerFLAT5X6 |
| TSM35N03PQ56 |
SMD |
N |
4.2 |
30 |
25 |
2.5 |
22 |
0.007 |
8.2 |
9 |
210 |
150 |
PDFN5X6 |