Транзистор SIA817EDJ

SIA817EDJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-70-6Dual

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.065 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 14 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIA817EDJ можно заменить на:

Нет элементов для замены