Транзистор SIA850DJ

SIA850DJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-70-6Dual

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.9 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 190 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.47 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.8 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 3 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIA850DJ можно заменить на:

Нет элементов для замены