Транзистор SIB413DK

SIB413DK - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-75-6L

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.4 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 5.09 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 93 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SIB413DK можно заменить на:

Нет элементов для замены