Транзистор SIE816DF
SIE816DF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PolarPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 19.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0074 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 51 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 480 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIE816DF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIE876DF |
SMD |
N |
5.2 |
60 |
20 |
4.4 |
22 |
0.0061 |
51 |
10 |
480 |
150 |
PolarPAK |